矿用电缆
江苏凯铭仪表有限公司是一家从事仪器仪表的企业。在自身努力和广大新老用户的全力支持下持续不断的发展壮大， 产品大范围的应用于化工、环保、冶金、医药、造纸、排水等工业技术和管理部门。产品远销北京、上海、广东、山东等，部分产品还远销国外。 专业各种仪表，仪表包含：压力仪表（压力表,压力变送器, 差压变送器）；液位仪表（超声波液位计, 磁翻板液位计, 雷达液位计, 投入式液位计, 单法兰液位变送器, 双法兰液位变送器）；流量仪表（电磁流量计, 涡街流量计, 涡轮流量计, 孔板流量计, 旋进漩涡流量计, V锥流量计, 威力巴流量计等）；温度仪表（双金属温度计, 热电偶, 热电阻,一体化温度变送器）；数显仪表 （无纸记录仪，流量计积算仪，数显表等） 。公司自成立以来一贯坚持质量兴企和方针,时刻将自己和产品与高科技领域息息相关联贯系在一起,保证了产品质量,不断的研究开发,以提升产品的技术上的含金量来开拓市场,因此深受客户的依赖,取得了社会经济效益。
静压式液位计用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度和压力，然后将其转变成4～20mA DC信号输出。智能型可与HART手操器相互通讯，通过它进行设定，监控或与上位机组成现场监控系统。KM1151/3351DP现场可调式智能差压变送器是本公司依据现场要求研制开发的新产品，可脱离手操器，通过按键方式实现现场调零、组态等操作。
压力设备通常分为三种类型:表压、压力以及差压。但从根本上说，它们都属于差压测量。
差压设备用于测量相对于环境大气压的过程压力。传感器的过程侧处于过程压力中，而非过程侧处于大气中。表压测量即为两侧的压力差。若传感器的非过程侧与大气相隔离，存留的气体体积将随着气温变化膨胀或缩小，并造成传感器非过程侧的压力变化。这将导致表压信号出现严重误差。通常所有的表压传感器都有一条内部通道，将非过程侧与大气相连。
输出:二线mA DC输出，数字通讯，可编程设定线性或平方根输出方式，HART协议加载在4~20mA DC信号上。
静压式液位计的阻尼时间常数:放大器部件和膜盒的阻尼时间常数之和。常数在0.2~64秒范围内可调。
调量程的参考精度(包括从零点开始的线性、滞后性和重复性):0.1%
一般的单输出电源，变压器分为3个绕组，初级绕组Np,次级绕组Ns,辅助电源绕组Nb;当实用普通分层绕法时，绕制的顺序是:NpNsNb，当然也有的是采用NbNsNp的绕法，但不常用。
此种绕法工艺简单，易于控制磁芯的各种参数，一致性较好，绕线成本低，适用于大批量的生产，但漏感稍大，故适用于对漏感不敏感的小功率场合，一般功率小于10W的电源中普遍实用这种绕法
三明治绕法久负盛名，几乎每个做电源的人都知道这种绕法，但真正对三明治绕法做过深入研究的人，应该不多。相信很多人都吃过三明治，就是两层面包中间夹一层奶油。顾名思义，三明治绕法就是两层夹一层的绕法。由于被夹在中间的绕组不同，三明治又分为两种绕法:初级夹次级，次级夹初级。先来看种，初级夹次级的绕法(也叫初级平均绕法)
顺序为Np/2,Ns,Np/2,Nb，此种绕法有量大优点，由于增加了初次级的有效耦合面积，可以极大的减少变压器的漏感，而减少漏感带来的好处是显而易见的:漏感引起的电压尖峰会降低，这就使MOSFET的电压应力降低，同时，由MOSFET与散热片引起的共模干扰电流也能够更好的降低，从而改善EMI;由于在初级中间加入了一个次级绕组，所以减少了变压器初级的层间分布电容，而层间电容的减少，就会使电路中的寄生振荡减少，一样能降低MOSFET与次级整流管的电压电流应力，改善EMI。
顺序为Ns/2,Np,Ns/2,Nb。当输出是低压大电流时，一般都会采用此种绕法，其优点有二:
1、可以大大降低铜损引起的温升:由于输出是低压大电流，故铜损对导线的长度较为敏感，绕在内侧的Ns/2可以轻松又有效较少绕线长度，以此来降低此Ns/2绕组的铜损及发热。外层的Ns/2虽说绕线相对较长，但是绝大多数都是在变压器的外层，散热良好故温度也不会太高。
2、可以减少初级耦合至变压器磁芯高频干扰。由于初级远离磁芯，次级电压低，故引起的高频干扰小。
我们大家来进一步深入讨论下这个三明治绕发对EMI的影响。首先，我们的角度来看初级夹次级的绕法，我们大家都知道，变压器的初级由于电压较高，所以绕组较多，一般要超过2层，有时甚至达到4-5层，这就给变压器带来一个分布参数-层间电容，形成原理相信我们大家都清楚，我就不多解释了。当MOSFET关断的时候，变压器的漏感与MOSFET的结电容以及变压器的层间电容会产生振动，幅度达到几十甚至超过一百V，这对MOSFET与EMI来说都是不允许的，所以，我们增加RCD吸收来抑制这个振荡，达到保护MOSFET与改善EMI的目的。
三明治绕法是可以在某些特定的程度上改善EMI。从另外一个角度来说，三明治绕法确实是增加了初次级的耦合面积，减少了漏感，同时又使初次级的耦合电容增加了;当开关管反复开关时，电容也会反复充放电，也就是说会引起振荡，此振荡正比于开关频率，会对EMI产生不利的影响。
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